Dmitry Veksler

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	4419	1221
h-index	29	16
i10-index	66	29

380

190

285

200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202511 23 51 85 112 114 147 165 233 320 331 368 351 275 286 284 277 252 219 202 192 78

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

6 άρθρα

2 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Michael ShurPatricia W. and C. Sheldon Roberts Professor, Rensselaer PolytechnicΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα rpi.edu
Andrea PadovaniAssistant Professor, università degli Studi di Modena e Reggio EmiliaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Luca VandelliPh.D. University Modena and Reggio EmiliaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Nezih PalaElectrical & Computer Engineering, Florida International UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fiu.edu
Luca MorassiPh.D. University Modena and Reggio EmiliaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Xi-Cheng ZhangThe Institute of Optics, University of RochesterΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα rochester.edu
Chadwin D. YoungUniversity of Texas at DallasΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα utdallas.edu
Richard HillManager - MicronΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα micron.com
Khaled Nabil SalamaKing Abdullah Univeristy of Science and Technology (KAUST)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaust.edu.sa
Dae-Hyun KIMAssociate Professor, College of IT Engineering, School of Electronics Engineering, SemiconductorΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.knu.ac.kr
Giovanni VerzellesiProfessor of Electronics, University of Modena and Reggio Emilia, ItalyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Eric M VogelHightower Professor of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mse.gatech.edu
Chen Yen-TingUT AustinΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.utexas.edu
Bhaswar ChakrabartiAssistant Professor, Indian Institute of Technology MadrasΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.iitm.ac.in
Himanshu MadanIntel, PennState UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com
Valentin O. TurinAssociate Professor at the Experimental and Theoretical Physics Department, Orel State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ostu.ru
Kah-Wee ANG, Ph.D.National University of SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ieee.org
Kristel FobeletsReader in microelectronics, Electrical Engineering, Imperial College LondonΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imperial.ac.uk
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uni-due.de
Sergey RumyantsevInstitute of High Pressure Physics

Παρακολούθηση

Dmitry Veksler

HRL Laboratory

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα hrl.com

Semiconductor device Physics Electrical characterization and reliability Terahertz Infrared


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Measurement of the optical absorption spectra of epitaxial graphene from terahertz to visible JM Dawlaty, S Shivaraman, J Strait, P George, M Chandrashekhar, ... Applied Physics Letters 93 (13), 2008	668	2008
Metal oxide resistive memory switching mechanism based on conductive filament properties G Bersuker, DC Gilmer, D Veksler, P Kirsch, L Vandelli, A Padovani, ... Journal of Applied Physics 110 (12), 2011	570	2011
Detection of terahertz radiation in gated two-dimensional structures governed by dc current D Veksler, F Teppe, AP Dmitriev, VY Kachorovskii, W Knap, MS Shur Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 73 (12), 125328, 2006	255	2006
Room-temperature plasma waves resonant detection of sub-terahertz radiation by nanometer field-effect transistor F Teppe, W Knap, D Veksler, MS Shur, AP Dmitriev, VY Kachorovskii, ... Applied Physics Letters 87 (5), 2005	211	2005
Temperature dependence of plasmonic terahertz absorption in grating-gate gallium-nitride transistor structures AV Muravjov, DB Veksler, VV Popov, OV Polischuk, N Pala, X Hu, ... Applied Physics Letters 96 (4), 2010	187	2010
Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties G Bersuker, DC Gilmer, D Veksler, J Yum, H Park, S Lian, L Vandelli, ... 2010 International Electron Devices Meeting, 19.6. 1-19.6. 4, 2010	169	2010
Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors A El Fatimy, S Boubanga Tombet, F Teppe, W Knap, DB Veksler, ... Electronics Letters 42 (23), 1342-1344, 2006	142	2006
Plasma wave resonant detection of femtosecond pulsed terahertz radiation by a nanometer field-effect transistor F Teppe, D Veksler, VY Kachorovski, AP Dmitriev, X Xie, XC Zhang, ... Applied Physics Letters 87 (2), 2005	126	2005
Spectroscopic characterization of explosives in the far-infrared region Y Chen, H Liu, Y Deng, DB Veksler, MS Shur, XC Zhang, D Schauki, ... Terahertz for Military and Security Applications II 5411, 1-8, 2004	124	2004
Random telegraph noise (RTN) in scaled RRAM devices D Veksler, G Bersuker, L Vandelli, A Padovani, L Larcher, A Muraviev, ... 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), MY. 10.1-MY. 10.4, 2013	103	2013
Universal compact model for long-and short-channel thin-film transistors B Iñiguez, R Picos, D Veksler, A Koudymov, MS Shur, T Ytterdal, ... Solid-state electronics 52 (3), 400-405, 2008	94	2008
Controlling uniformity of RRAM characteristics through the forming process A Kalantarian, G Bersuker, DC Gilmer, D Veksler, B Butcher, A Padovani, ... 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 6C. 4.1-6C. 4.5, 2012	81	2012
Device loading effects on nonresonant detection of terahertz radiation by silicon MOSFETs W Stillman, MS Shur, D Veksler, S Rumyantsev, F Guarin Electronics Letters 43 (7), 422-423, 2007	81	2007
Leakage Current-Forming Voltage Relation and Oxygen Gettering in HfO_xRRAM Devices KG Young-Fisher, G Bersuker, B Butcher, A Padovani, L Larcher, ... IEEE electron device letters 34 (6), 750-752, 2013	72	2013
Enhanced plasma wave detection of terahertz radiation using multiple high electron-mobility transistors connected in series TA Elkhatib, VY Kachorovskii, WJ Stillman, DB Veksler, KN Salama, ... IEEE transactions on microwave theory and techniques 58 (2), 331-339, 2010	68	2010
Ultra-fast switching memristors based on two-dimensional materials SS Teja Nibhanupudi, A Roy, D Veksler, M Coupin, KC Matthews, ... Nature Communications 15 (1), 2334, 2024	61	2024
Methodology for the statistical evaluation of the effect of random telegraph noise (RTN) on RRAM characteristics D Veksler, G Bersuker, B Chakrabarti, E Vogel, S Deora, K Matthews, ... 2012 International Electron Devices Meeting, 9.6. 1-9.6. 4, 2012	61	2012
Nonresonant detection of terahertz radiation by silicon-on-insulator MOSFETs N Pala, F Teppe, D Veksler, Y Deng, MS Shur, R Gaska Electronics Letters 41 (7), 447-449, 2005	56	2005
Positive bias instability and recovery in InGaAs channel nMOSFETs S Deora, G Bersuker, WY Loh, D Veksler, K Matthews, TW Kim, RTP Lee, ... IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 13 (4), 507-514, 2013	54	2013
Silicon FinFETs as detectors of terahertz and sub-terahertz radiation W Stillman, C Donais, S Rumyantsev, M Shur, D Veksler, C Hobbs, ... International Journal of High Speed Electronics and Systems 20 (01), 27-42, 2011	48	2011

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς