Hong Zhou

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	7083	5922
h-index	45	43
i10-index	104	101

1500

750

375

1125

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202523 32 25 27 48 138 312 541 596 867 1163 1427 1426 440

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

37 άρθρα

65 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Peide YeRichard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Zhihong LiuXidian University, ChinaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα xidian.edu.cn
Mengwei Si（司梦维）Shanghai Jiao Tong UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sjtu.edu.cn
Sami AlghamdiAssociate Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kau.edu.sa
Gang QiuUniversity of MinnesotaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα umn.edu
LINGMING YANGPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Yuchen DuGlobalFoundiresΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα globalfoundries.com
Xiabing LouHarvard UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fas.harvard.edu
Jinhyun NohTexas InstrumentsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ti.com
Geok Ing NgNanyang Technological UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ntu.edu.sg
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Heng WuPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Ava J. TanDisplay Electrical Engineer, Apple Inc.Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα berkeley.edu
Sayeef SalahuddinTSMC Distinguished Professor of EECS, University of California, BerkeleyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα berkeley.edu
Kelson ChabakAir Force Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil
Adam T. NealAir Force Research LabΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil

Παρακολούθηση

Hong Zhou

Xidian University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα xidian.edu.cn

GaN Power Device beta-Ga2O3 Power Device Ferroelectric FETs Oxide Semiconductor Devices


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS₂ transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature nanotechnology 13 (1), 24-28, 2018	560	2018
Ultra-wide bandgap semiconductor Ga₂O₃ power diodes J Zhang, P Dong, K Dang, Y Zhang, Q Yan, H Xiang, J Su, Z Liu, M Si, ... Nature communications 13 (1), 3900, 2022	422	2022
High-Performance Depletion/Enhancement-ode -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm H Zhou, M Si, S Alghamdi, G Qiu, L Yang, PD Ye IEEE Electron Device Letters 38 (1), 103-106, 2016	328	2016
Controlled growth of a large-size 2D selenium nanosheet and its electronic and optoelectronic applications J Qin, G Qiu, J Jian, H Zhou, L Yang, A Charnas, DY Zemlyanov, CY Xu, ... ACS nano 11 (10), 10222-10229, 2017	255	2017
β-Ga2O3 on insulator field-effect transistors with drain currents exceeding 1.5 A/mm and their self-heating effect H Zhou, K Maize, G Qiu, A Shakouri, PD Ye Applied Physics Letters 111 (9), 2017	242	2017
Field-Plated Lateral -Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With High Reverse Blocking Voltage of More Than 3 kV and High DC Power Figure-of-Merit of 500 MW/cm² Z Hu, H Zhou, Q Feng, J Zhang, C Zhang, K Dang, Y Cai, Z Feng, Y Gao, ... IEEE Electron Device Letters 39 (10), 1564-1567, 2018	198	2018
Improved subthreshold swing and short channel effect in FDSOI n-channel negative capacitance field effect transistors D Kwon, K Chatterjee, AJ Tan, AK Yadav, H Zhou, AB Sachid, R Dos Reis, ... IEEE Electron Device Letters 39 (2), 300-303, 2017	177	2017
Progress in state-of-the-art technologies of Ga2O3 devices C Wang, J Zhang, S Xu, C Zhang, Q Feng, Y Zhang, J Ning, S Zhao, ... Journal of Physics D: Applied Physics 54 (24), 243001, 2021	170	2021
Demonstration of β-Ga₂O₃ Junction Barrier Schottky Diodes With a Baliga's Figure of Merit of 0.85 GW/cm² or a 5A/700 V Handling Capabilities Y Lv, Y Wang, X Fu, S Dun, Z Sun, H Liu, X Zhou, X Song, K Dang, ... IEEE Transactions on Power Electronics 36 (6), 6179-6182, 2020	157	2020
Al2O3/ -Ga2O3(-201) Interface Improvement Through Piranha Pretreatment and Postdeposition Annealing H Zhou, S Alghmadi, M Si, G Qiu, PD Ye IEEE Electron Device Letters 37 (11), 1411-1414, 2016	154	2016
Reduced surface leakage current and trapping effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon with SiN/Al2O3 passivation ZH Liu, GI Ng, H Zhou, S Arulkumaran, YKT Maung Applied Physics Letters 98 (11), 2011	152	2011
A review of the most recent progresses of state-of-art gallium oxide power devices H Zhou, J Zhang, C Zhang, Q Feng, S Zhao, P Ma, Y Hao Journal of Semiconductors 40 (1), 011803, 2019	137	2019
6 kV/3.4 mΩ·cm² Vertical β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With BV²/R_on,sp Performance Exceeding 1-D Unipolar Limit of GaN and SiC P Dong, J Zhang, Q Yan, Z Liu, P Ma, H Zhou, Y Hao IEEE Electron Device Letters 43 (5), 765-768, 2022	134	2022
Lateral β-Ga₂O₃ MOSFETs With High Power Figure of Merit of 277 MW/cm² Y Lv, H Liu, X Zhou, Y Wang, X Song, Y Cai, Q Yan, C Wang, S Liang, ... IEEE Electron Device Letters 41 (4), 537-540, 2020	130	2020
High-Performance Vertical -Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With Implanted Edge Termination H Zhou, Q Yan, J Zhang, Y Lv, Z Liu, Y Zhang, K Dang, P Dong, Z Feng, ... IEEE Electron Device Letters 40 (11), 1788-1791, 2019	126	2019
Demonstration of the p-NiO_x/n-Ga₂O₃ Heterojunction Gate FETs and Diodes With BV²/R_on,sp Figures of Merit of 0.39 GW/cm² and 1.38 GW/cm² C Wang, H Gong, W Lei, Y Cai, Z Hu, S Xu, Z Liu, Q Feng, H Zhou, J Ye, ... IEEE Electron Device Letters 42 (4), 485-488, 2021	125	2021
β-Ga2O3 hetero-junction barrier Schottky diode with reverse leakage current modulation and BV2/Ron, sp value of 0.93 GW/cm2 Q Yan, H Gong, J Zhang, J Ye, H Zhou, Z Liu, S Xu, C Wang, Z Hu, ... Applied Physics Letters 118 (12), 2021	121	2021
Recent progress of integrated circuits and optoelectronic chips Y Hao, S Xiang, G Han, J Zhang, X Ma, Z Zhu, X Guo, Y Zhang, Y Han, ... Science China Information Sciences 64 (10), 201401, 2021	110	2021
Toward emerging gallium oxide semiconductors: A roadmap Y Yuan, W Hao, W Mu, Z Wang, X Chen, Q Liu, G Xu, C Wang, H Zhou, ... Fundamental Research 1 (6), 697-716, 2021	108	2021
Thermodynamic Studies of β-Ga₂O₃ Nanomembrane Field-Effect Transistors on a Sapphire Substrate H Zhou, K Maize, J Noh, A Shakouri, PD Ye ACS omega 2 (11), 7723-7729, 2017	105	2017

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς