Graham E. Rowlands

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2019
Παραθέσεις	2284	1145
h-index	24	20
i10-index	33	29

220

110

165

2011201220132014201520162017201820192020202120222023202456 93 123 154 148 163 182 170 187 186 169 196 205 202

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

13 άρθρα

0 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Ilya KrivorotovProfessor, University of California at IrvineΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uci.edu
Jordan KatineSenior Director, Western Digital Research DivisionΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα wdc.com
Kang L. WangElectrical Engineering DepartmentΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ee.ucla.edu
Robert BuhrmanCornell UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cornell.edu
Jian-Ping WangDistinguished McKnight University Professor and Robert Hartmann Chair, University of MinnesotaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα umn.edu
Zhongming ZengΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sinano.ac.cn
HongWen JiangUCLAΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physics.ucla.edu
Kos Galatsis Ph.D.President of Forensics DetectorsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα forensicsdetectors.com
Dan RalphProfessor of Physics, Cornell UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cornell.edu
Pedram KhaliliProfessor, Northwestern UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα northwestern.edu
pramey upadhyayaPurdueΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Juan G AlzateApple/Intel/UCLA/UniAndesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα apple.com
Alexey KovalevAssociate Professor, University of Nebraska - LincolnΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unl.edu
Jian ZhuTDK-Headway, HGST, UC Irvine, USTCΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uci.edu
Dmitri E. NikonovDistinguished Engineer, Kepler ComputingΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com

Παρακολούθηση

Graham E. Rowlands

Research Scientist, BBN Technologies

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα raytheon.com - Αρχική σελίδα

Reservoir Computing Superconducting Logic Spintronics MRAM Scientific Visualization


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Voltage-induced ferromagnetic resonance in magnetic tunnel junctions J Zhu, JA Katine, GE Rowlands, YJ Chen, Z Duan, JG Alzate, ... Physical review letters 108 (19), 197203, 2012	329	2012
Low writing energy and sub nanosecond spin torque transfer switching of in-plane magnetic tunnel junction for spin torque transfer random access memory H Zhao, A Lyle, Y Zhang, PK Amiri, G Rowlands, Z Zeng, J Katine, H Jiang, ... Journal of Applied Physics 109 (7), 2011	244	2011
Switching current reduction using perpendicular anisotropy in CoFeB–MgO magnetic tunnel junctions P Khalili Amiri, ZM Zeng, J Langer, H Zhao, G Rowlands, YJ Chen, ... Applied Physics Letters 98 (11), 2011	228	2011
Nanosecond-timescale low energy switching of in-plane magnetic tunnel junctions through dynamic Oersted-field-assisted spin Hall effect SV Aradhya, GE Rowlands, J Oh, DC Ralph, RA Buhrman Nano letters 16 (10), 5987-5992, 2016	165	2016
Deep subnanosecond spin torque switching in magnetic tunnel junctions with combined in-plane and perpendicular polarizers GE Rowlands, T Rahman, JA Katine, J Langer, A Lyle, H Zhao, JG Alzate, ... Applied Physics Letters 98 (10), 2011	114	2011
Quantum reservoir computing with a single nonlinear oscillator LCG Govia, GJ Ribeill, GE Rowlands, HK Krovi, TA Ohki Physical Review Research 3 (1), 013077, 2021	104	2021
Sub-200 ps spin transfer torque switching in in-plane magnetic tunnel junctions with interface perpendicular anisotropy H Zhao, B Glass, PK Amiri, A Lyle, Y Zhang, YJ Chen, G Rowlands, ... Journal of Physics D: Applied Physics 45 (2), 025001, 2011	93	2011
Compact model for spin–orbit magnetic tunnel junctions M Kazemi, GE Rowlands, E Ipek, RA Buhrman, EG Friedman IEEE Transactions on Electron Devices 63 (2), 848-855, 2016	86	2016
Effect of resistance-area product on spin-transfer switching in MgO-based magnetic tunnel junction memory cells ZM Zeng, P Khalili Amiri, G Rowlands, H Zhao, IN Krivorotov, JP Wang, ... Applied Physics Letters 98 (7), 2011	77	2011
Strategies and tolerances of spin transfer torque switching DE Nikonov, GI Bourianoff, G Rowlands, IN Krivorotov Journal of Applied Physics 107 (11), 2010	69	2010
Macrospin modeling of sub-ns pulse switching of perpendicularly magnetized free layer via spin-orbit torques for cryogenic memory applications J Park, GE Rowlands, OJ Lee, DC Ralph, RA Buhrman Applied Physics Letters 105 (10), 2014	68	2014
Nonlinear ferromagnetic resonance induced by spin torque in nanoscale magnetic tunnel junctions X Cheng, JA Katine, GE Rowlands, IN Krivorotov Applied Physics Letters 103 (8), 2013	65	2013
Low write-energy magnetic tunnel junctions for high-speed spin-transfer-torque MRAM PK Amiri, ZM Zeng, P Upadhyaya, G Rowlands, H Zhao, IN Krivorotov, ... IEEE Electron Device Letters 32 (1), 57-59, 2010	64	2010
Magnetization dynamics in a dual free-layer spin-torque nano-oscillator GE Rowlands, IN Krivorotov Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 86 (9), 094425, 2012	63	2012
Cryogenic memory architecture integrating spin Hall effect based magnetic memory and superconductive cryotron devices MH Nguyen, GJ Ribeill, MV Gustafsson, S Shi, SV Aradhya, AP Wagner, ... Scientific reports 10 (1), 248, 2020	48	2020
SuperMind: a survey of the potential of superconducting electronics for neuromorphic computing M Schneider, E Toomey, G Rowlands, J Shainline, P Tschirhart, K Segall Superconductor Science and Technology 35 (5), 053001, 2022	46	2022
Nanosecond-timescale low-error switching of 3-terminal magnetic tunnel junction circuits through dynamic in-plane-field assisted spin-hall effect SV Aradhya, RA Buhrman, DC Ralph, GE Rowlands US Patent 10,333,058, 2019	45	2019
Nanosecond magnetization dynamics during spin Hall switching of in-plane magnetic tunnel junctions GE Rowlands, SV Aradhya, S Shi, EH Yandel, J Oh, DC Ralph, ... Applied Physics Letters 110 (12), 2017	39	2017
Reduction of switching current density in perpendicular magnetic tunnel junctions by tuning the anisotropy of the CoFeB free layer MT Rahman, A Lyle, P Khalili Amiri, J Harms, B Glass, H Zhao, ... Journal of Applied Physics 111 (7), 2012	38	2012
A cryogenic spin-torque memory element with precessional magnetization dynamics GE Rowlands, CA Ryan, L Ye, L Rehm, D Pinna, AD Kent, TA Ohki Scientific reports 9 (1), 803, 2019	37	2019

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς