Paul J Simmonds

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BAOLAI LIANGUCLABestätigte E-Mail-Adresse bei cnsi.ucla.edu
Minjoo Larry LeeProfessor of electrical and computer engineering, University of Illinois Urbana-ChampaignBestätigte E-Mail-Adresse bei illinois.edu
Kevin D. VallejoIdaho National LaboratoryBestätigte E-Mail-Adresse bei inl.gov
D.L. Huffaker, Diana Huffaker, Diana L...Associate Vice President for Res, UT Arlington and Adjunct Professor of Electrical Engineering, UCLABestätigte E-Mail-Adresse bei uta.edu
David A RitchieUniversity of Cambridge and Swansea UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei cam.ac.uk
Harvey BeereSenior Research Associate, Semiconductor Group, University of CambridgeBestätigte E-Mail-Adresse bei cam.ac.uk
Dr. R. B. LaghumavarapuStaff Research Associate-III, University of California Los AngelesBestätigte E-Mail-Adresse bei ucla.edu
Andrew ShieldsToshiba Europe LtdBestätigte E-Mail-Adresse bei crl.toshiba.co.uk
Hongwei LiNokia Bell LabsBestätigte E-Mail-Adresse bei nokia-bell-labs.com
John SimonNRELBestätigte E-Mail-Adresse bei nrel.gov
Kevin GrossklausMIT Lincoln LaboratoryBestätigte E-Mail-Adresse bei mit.edu
Beata KardynalForschungszentrum Juelich and RWTH Aachen UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei fz-juelich.de
Stephanie TomasuloU.S. Naval Research LaboratoryBestätigte E-Mail-Adresse bei us.navy.mil
Francois SfigakisInstitute for Quantum Computing, University of WaterlooBestätigte E-Mail-Adresse bei uwaterloo.ca
M PepperCambridge, LondonBestätigte E-Mail-Adresse bei ucl.ac.uk
Andrew LinPh.D. Student of Electrical Engineering, University of California, Los AngelesBestätigte E-Mail-Adresse bei ucla.edu
David H HurleyIdaho National LaboratoryBestätigte E-Mail-Adresse bei inl.gov
Thomas VanderveldeTufts UniversityBestätigte E-Mail-Adresse bei ece.tufts.edu
Carlos I Cabrera PerdomoAutonomous University of ZacatecasBestätigte E-Mail-Adresse bei uaz.edu.mx
Alain André QuivyProfessor, Instituto de Física, Universidade de São PauloBestätigte E-Mail-Adresse bei if.usp.br

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Electrochemically induced amorphous-to-rock-salt phase transformation in niobium oxide electrode for Li-ion batteries P Barnes, Y Zuo, K Dixon, D Hou, S Lee, Z Ma, JG Connell, H Zhou, ... Nature Materials 21 (7), 795-803, 2022	102	2022
Quantum dot resonant tunneling diode for telecommunication wavelength single photon detection HW Li, BE Kardynał, P See, AJ Shields, P Simmonds, HE Beere, ... Applied Physics Letters 91 (7), 073516-073516-3, 2007	89	2007
Review Article: Molecular beam epitaxy of lattice-matched InAlAs and InGaAs layers on InP (111) A,(111) B, and (110) CD Yerino, B Liang, DL Huffaker, PJ Simmonds, ML Lee Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and …, 2017	64	2017
GaSb thermophotovoltaic cells grown on GaAs by molecular beam epitaxy using interfacial misfit arrays BC Juang, RB Laghumavarapu, BJ Foggo, PJ Simmonds, A Lin, B Liang, ... Applied Physics Letters 106 (11), 111101, 2015	54	2015
Tensile-strained growth on low-index GaAs PJ Simmonds, M Larry Lee Journal of Applied Physics 112 (5), 054313, 2012	54	2012
Strain-driven quantum dot self-assembly by molecular beam epitaxy KE Sautter, KD Vallejo, PJ Simmonds Journal of Applied Physics 128 (3), 031101, 2020	53	2020
Strain-driven growth of GaAs (111) quantum dots with low fine structure splitting CD Yerino, PJ Simmonds, B Liang, D Jung, C Schneider, S Unsleber, ... Applied Physics Letters 105 (25), 251901, 2014	45	2014
Tuning Quantum Dot Luminescence Below the Bulk Band Gap Using Tensile Strain PJ Simmonds, CD Yerino, M Sun, B Liang, DL Huffaker, VG Dorogan, ... ACS nano 7 (6), 5017-5023, 2013	41	2013
Metamorphic GaAsP buffers for growth of wide-bandgap InGaP solar cells J Simon, S Tomasulo, PJ Simmonds, M Romero, ML Lee Journal of Applied Physics 109 (1), 013708, 2011	40	2011
Structural and optical properties of InAs/AlAsSb quantum dots with GaAs (Sb) cladding layers PJ Simmonds, R Babu Laghumavarapu, M Sun, A Lin, CJ Reyner, ... Applied Physics Letters 100 (24), 243108, 2012	38	2012
Self-assembly on (111)-oriented III-V surfaces PJ Simmonds, M Larry Lee Applied Physics Letters 99 (12), 123111, 2011	38	2011
Photoluminescence from In0.5Ga0.5P/GaP quantum dots coupled to photonic crystal cavities K Rivoire, S Buckley, Y Song, P Simmonds, ML Lee, J Vučković Frontiers in Optics 2011/Laser Science XXVII, OSA Technical Digest (Optical …, 2011	33	2011
Quantum transport in In 0.75 Ga 0.25 As quantum wires PJ Simmonds, F Sfigakis, HE Beere, DA Ritchie, M Pepper, D Anderson, ... Appl. Phys. Lett 92, 152108, 2008	32	2008
Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence HM Ji, B Liang, PJ Simmonds, BC Juang, T Yang, RJ Young, DL Huffaker Applied Physics Letters 106 (10), 103104, 2015	31	2015
Defect generation in TiO 2 nanotube anodes via heat treatment in various atmospheres for lithium-ion batteries AI Savva, KA Smith, M Lawson, SR Croft, AE Weltner, CD Jones, H Bull, ... Physical Chemistry Chemical Physics 20 (35), 22537-22546, 2018	30	2018
Self-assembly of (111)-oriented tensile-strained quantum dots by molecular beam epitaxy CF Schuck, RA McCown, A Hush, A Mello, S Roy, JW Spinuzzi, B Liang, ... Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and …, 2018	29	2018
Self-assembled In 0.5 Ga 0.5 As quantum dots on GaP Y Song, PJ Simmonds, ML Lee Applied Physics Letters 97, 223110, 2010	29	2010
Anomalous Stranski-Krastanov growth of (111)-oriented quantum dots with tunable wetting layer thickness CF Schuck, SK Roy, T Garrett, Q Yuan, Y Wang, CI Cabrera, ... Scientific reports 9 (1), 18179, 2019	28	2019
Tensile strained island growth at step-edges on GaAs (110) PJ Simmonds, ML Lee Applied Physics Letters 97 (15), 153101, 2010	26	2010
Improved quantum dot stacking for intermediate band solar cells using strain compensation PJ Simmonds, M Sun, RB Laghumavarapu, B Liang, AG Norman, JW Luo, ... Nanotechnology 25 (44), 445402, 2014	24	2014

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