Markus Weyers

Markus Weyers

Dept. Head Materials Technology, Ferdinand-Braun-Institut
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Zitiert von: 15493
AlGaN MOVPE GaAs VCSELs
zhancang wang

zhancang wang

Ericsson
Bestätigte E-Mail-Adresse bei ericsson.com
Zitiert von: 11229
RF RFIC CMOS GaN GaAs
RP Schneider

RP Schneider

Google or Raxium or Sandia or Infinera or Agilent or Hewlett Packard or HP or Northwestern
Bestätigte E-Mail-Adresse bei google.com
Zitiert von: 10551
Compound Semiconductor Materials and … InP GaAs)
Pierre Lefebvre

Pierre Lefebvre

Directeur de Recherche CNRS. Physics. Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de …
Bestätigte E-Mail-Adresse bei umontpellier.fr
Zitiert von: 7187
Excitons Nano GaN ZnO GaAs
Geoff Gardner

Geoff Gardner

Microsoft Research & Purdue University
Bestätigte E-Mail-Adresse bei purdue.edu
Zitiert von: 6907
MBE growth materials for quantum computing GaAs InAs 2DEG
Subhananda (Subho) Chakrabarti

Subhananda (Subho) Chakrabarti

Professor, Indian Institute of Technology Bombay
Bestätigte E-Mail-Adresse bei ee.iitb.ac.in
Zitiert von: 5457
Materials Semiconductors GaAs InAs ZnO
Haiqun Zheng, H.Q. Zheng, Zheng H. Q.

Haiqun Zheng, HQ Zheng, Zheng HQ

Nanyang Technological University
Zitiert von: 1427
Semiconductors MBE GaAs AlGaAs InP
Servin Rathi

Servin Rathi

Research Fellow
Bestätigte E-Mail-Adresse bei ucl.ac.uk
Zitiert von: 1219
2D Transport GaAs Graphene … Vanadium dioxide thin-films and nanowires HEMTs Modeling- Fab.-Me
Nikolay Ledentsov Jr.

Nikolay Ledentsov Jr.

Head of Characterization, EPIGAP OSA GmbH
Bestätigte E-Mail-Adresse bei vi-systems.com
Zitiert von: 1183
VCSEL LED GaN GaAs Optoelectronics
Riyaz Abdul Khadar

Riyaz Abdul Khadar

R&D Engineer, Coherent Corp.
Bestätigte E-Mail-Adresse bei II-VI.com
Zitiert von: 907
Semiconductor device physics High power devices GaN High power lasers GaAs
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