Dr. Aminul Islam

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	2685	1833
h-index	27	23
i10-index	64	46

420

210

105

315

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202515 39 80 122 116 131 156 175 277 346 417 396 331 65

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

مقالة واحدة

5 مقالات

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Mohammad HasanDepartment of Electronics Engineering, Aligarh Muslim Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على amu.ac.in
Dr. Vikash KumarAssistant Professor, Christ Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org
Amit Krishna Dwivedi, PhDAssistant Professor, University of Warwick, Coventry, UKبريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org
Rishab MehraApple Inc, The University of Texas at Austinبريد إلكتروني تم التحقق منه على utexas.edu
Dr. Manisha GuduriSchool of Computing and Informatics, University of Louisiana at Lafayetteبريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org
Santashraya PrasadBirla Insitute Of technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على bitmesra.ac.in
M. W. AkramDept. of ECE, Jamia Millia Islamia, New Delhiبريد إلكتروني تم التحقق منه على jmi.ac.in
Dr. Sachin Dattatray PableHOD Electronics and Telecommunication. Government Polytechnicبريد إلكتروني تم التحقق منه على gov.in
Anumita SenguptaIndian Institute of Technology Kharagpurبريد إلكتروني تم التحقق منه على iitkgp.ac.in
Sarika TyagiLecturer I London Metropolitan University, London. UKبريد إلكتروني تم التحقق منه على londonmet.ac.uk
Dr. Mohd Ajmal KafeelAssociate Professor, University Women's Polytechnic, Aligarh Muslim University, AMU, Aligarhبريد إلكتروني تم التحقق منه على amu.ac.in
Nitin AnandUniversity of Wisconsin, Madisonبريد إلكتروني تم التحقق منه على wisc.edu
Abhijeet PasumarthyNvidia, Qualcomm, UC San Diego, BIT Mesraبريد إلكتروني تم التحقق منه على nvidia.com
Sudip KunduAssistant Professor of Electronics and Communication Engg, National Institute of Technology Rourkelaبريد إلكتروني تم التحقق منه على nitrkl.ac.in
Tughrul ArslanUniversity of Edinburghبريد إلكتروني تم التحقق منه على ed.ac.uk
Prashant GuptaNXP Semiconductorsبريد إلكتروني تم التحقق منه على nxp.com
Debosmit MajumderEngineer at Appleبريد إلكتروني تم التحقق منه على eng.ucsd.edu
vivek agarwalProfessor of Department of Electrical Engg, Indian Institute of Technology-Bombayبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.iitb.ac.in
Shree Prakash TiwariProfessor, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpurبريد إلكتروني تم التحقق منه على iitj.ac.in
Vivek DixitAssociate Professor, Department of E & ECE, IIT Kharagpur, Indiaبريد إلكتروني تم التحقق منه على ece.iitkgp.ac.in

متابعة

Dr. Aminul Islam

Professor, Birla Institute of Technology (Deemed to be University), MESRA, Ranchi, India-835215

بريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org - الصفحة الرئيسية

Nanoelectronics HEMT-TFET SRAM MTJ-MRAM RRAM


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Leakage characterization of 10T SRAM cell‏ A Islam, M Hasan‏ IEEE transactions on electron devices 59 (3), 631-638, 2012‏	186	2012
Variation tolerant differential 8T SRAM cell for ultralow power applications‏ S Pal, A Islam‏ IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and …, 2015‏	149	2015
A technique to mitigate impact of process, voltage and temperature variations on design metrics of SRAM Cell‏ A Islam, M Hasan‏ Microelectronics Reliability 52 (2), 405-411, 2012‏	119	2012
9-T SRAM cell for reliable ultralow-power applications and solving multibit soft-error issue‏ S Pal, A Islam‏ IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 16 (2), 172-182, 2016‏	103	2016
Optimized design of a 32-nm CNFET-based low-power ultrawideband CCII‏ A Imran, M Hasan, A Islam, SA Abbasi‏ IEEE transactions on Nanotechnology 11 (6), 1100-1109, 2012‏	74	2012
Characterization of half-select free write assist 9T SRAM cell‏ S Pal, S Bose, WH Ki, A Islam‏ IEEE transactions on electron devices 66 (11), 4745-4752, 2019‏	72	2019
Half-select-free low-power dynamic loop-cutting write assist SRAM cell for space applications‏ S Pal, S Bose, WH Ki, A Islam‏ IEEE Transactions on Electron Devices 67 (1), 80-89, 2019‏	65	2019
Variability aware low leakage reliable SRAM cell design technique‏ A Islam, M Hasan‏ Microelectronics reliability 52 (6), 1247-1252, 2012‏	63	2012
Soft-error resilient read decoupled SRAM with multi-node upset recovery for space applications‏ S Pal, DD Sri, WH Ki, A Islam‏ IEEE Transactions on Electron Devices 68 (5), 2246-2254, 2021‏	61	2021
Highly stable low power radiation hardened memory-by-design SRAM for space applications‏ S Pal, DD Sri, WH Ki, A Islam‏ IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 68 (6), 2147-2151, 2020‏	60	2020
Design of soft-error-aware SRAM with multi-node upset recovery for aerospace applications‏ S Pal, S Mohapatra, WH Ki, A Islam‏ IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 68 (6), 2470-2480, 2021‏	56	2021
A highly stable reliable SRAM cell design for low power applications‏ S Pal, S Bose, WH Ki, A Islam‏ Microelectronics Reliability 105, 113503, 2020‏	55	2020
Transmission gate‐based 9T SRAM cell for variation resilient low power and reliable internet of things applications‏ S Pal, V Gupta, WH Ki, A Islam‏ IET Circuits, Devices & Systems 13 (5), 584-595, 2019‏	52	2019
Design of power-and variability-aware nonvolatile RRAM cell using memristor as a memory element‏ S Pal, S Bose, WH Ki, A Islam‏ IEEE Journal of the Electron Devices Society 7, 701-709, 2019‏	48	2019
A 2.5 GHz Low Power, High- , Reliable Design of Active Bandpass Filter‏ V Kumar, R Mehra, A Islam‏ IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 17 (1), 229-244, 2017‏	44	2017
Circuit‐level design technique to mitigate impact of process, voltage and temperature variations in complementary metal‐oxide semiconductor full adder cells‏ V Dokania, A Islam‏ IET Circuits, Devices & Systems 9 (3), 204-212, 2015‏	44	2015
Optimization of SiC UMOSFET structure for improvement of breakdown voltage and ON-resistance‏ D Bharti, A Islam‏ IEEE Transactions on Electron Devices 65 (2), 615-621, 2017‏	42	2017
Variation resilient subthreshold SRAM cell design technique‏ A Islam, M Hasan, T Arslan‏ International Journal of Electronics 99 (9), 1223-1237, 2012‏	40	2012
Floating active inductor based Class-C VCO with 8 digitally tuned sub-bands‏ R Mehra, V Kumar, A Islam‏ AEU-International Journal of Electronics and Communications 83, 1-10, 2018‏	37	2018
Soft-error-aware read-decoupled SRAM with multi-node recovery for aerospace applications‏ S Pal, S Mohapatra, WH Ki, A Islam‏ IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 68 (10), 3336-3340, 2021‏	36	2021

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون