Ron Schrimpf

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	30239	8482
h-index	88	42
i10-index	557	269

1900

950

475

1425

19941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025149 192 221 188 218 181 266 183 312 385 527 376 543 742 1027 905 1096 1501 1237 1501 1396 1779 1415 1627 1599 1734 1470 1801 1557 1750 1596 305

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

88 مقالة

74 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Daniel M. FleetwoodProfessor of Electrical Engineering, Vanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Robert A ReedVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
SOKRATES T. PANTELIDESProfessor of Physics, Vanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Kenneth GallowayVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Enxia ZhangUniversity of Central Floridaبريد إلكتروني تم التحقق منه على ucf.edu
Michael AllesVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Robert A. WellerVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Lloyd MassengillVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Arthur WitulskiResearch Professor Electrical Engineering, Vanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Brian SierawskiResearch Associate Professor, Vanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Andrew SternbergVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Marcus Mendenhallnist or vanderbilt or caltechبريد إلكتروني تم التحقق منه على nist.gov
Bharat BhuvaVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Kevin WarrenVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Dennis R. BallStaff Engineer, Vanderbilt universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu
Dimitri LintenImecبريد إلكتروني تم التحقق منه على imec.be
Jonathan PellishNASA Goddard Space Flight Centerبريد إلكتروني تم التحقق منه على nasa.gov
Sergey RashkeevPrincipal Scientist, Acting Research Director, Qatar Environment & Energy Research Instituteبريد إلكتروني تم التحقق منه على qf.org.qa
Dale P. McMorrowNaval Research Laboratoryبريد إلكتروني تم التحقق منه على nrl.navy.mil
Steven KosierVanderbilt Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على Vanderbilt.edu

متابعة

Ron Schrimpf

Professor of Electrical Engineering, Vanderbilt University

بريد إلكتروني تم التحقق منه على vanderbilt.edu

Semiconductor Devices Microelectronics Radiation Effects in Electronics


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Charge collection and charge sharing in a 130 nm CMOS technology‏ OA Amusan, AF Witulski, LW Massengill, BL Bhuva, PR Fleming, ML Alles, ...‏ IEEE Transactions on nuclear science 53 (6), 3253-3258, 2006‏	493	2006
Response of advanced bipolar processes to ionizing radiation‏ EW Enlow, RL Pease, W Combs, RD Schrimpf, RN Nowlin‏ IEEE transactions on nuclear science 38 (6), 1342-1351, 1991‏	413	1991
Physical mechanisms contributing to enhanced bipolar gain degradation at low dose rates‏ DM Fleetwood, SL Kosier, RN Nowlin, RD Schrimpf, RA Reber, M DeLaus, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 41 (6), 1871-1883, 1994‏	379	1994
Physical model for enhanced interface-trap formation at low dose rates‏ SN Rashkeev, CR Cirba, DM Fleetwood, RD Schrimpf, SC Witczak, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 49 (6), 2650-2655, 2002‏	297	2002
Monte Carlo simulation of single event effects‏ RA Weller, MH Mendenhall, RA Reed, RD Schrimpf, KM Warren, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 57 (4), 1726-1746, 2010‏	295	2010
Defect generation by hydrogen at the Si-SiO2 interface‏ SN Rashkeev, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ST Pantelides‏ Physical review letters 87 (16), 165506, 2001‏	250	2001
Charge separation for bipolar transistors‏ SL Kosier, RD Schrimpf, RN Nowlin, DM Fleetwood, M DeLaus, RL Pease, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 40 (6), 1276-1285, 1993‏	241	1993
ELDRS in bipolar linear circuits: A review‏ RL Pease, RD Schrimpf, DM Fleetwood‏ 2008 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and …, 2008‏	240	2008
Structure, Properties, and Dynamics of Oxygen Vacancies in Amorphous SiO2‏ ZY Lu, CJ Nicklaw, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ST Pantelides‏ Physical review letters 89 (28), 285505, 2002‏	240	2002
Impact of low-energy proton induced upsets on test methods and rate predictions‏ BD Sierawski, JA Pellish, RA Reed, RD Schrimpf, KM Warren, RA Weller, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 56 (6), 3085-3092, 2009‏	232	2009
Characterization of digital single event transient pulse-widths in 130-nm and 90-nm CMOS technologies‏ B Narasimham, BL Bhuva, RD Schrimpf, LW Massengill, MJ Gadlage, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 54 (6), 2506-2511, 2007‏	232	2007
Single event transient pulse widths in digital microcircuits‏ MJ Gadlage, RD Schrimpf, JM Benedetto, PH Eaton, DG Mavis, M Sibley, ...‏ IEEE transactions on nuclear science 51 (6), 3285-3290, 2004‏	221	2004
Unified model of hole trapping, 1/f noise, and thermally stimulated current in MOS devices‏ DM Fleetwood, HD Xiong, ZY Lu, CJ Nicklaw, JA Felix, RD Schrimpf, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 49 (6), 2674-2683, 2002‏	215	2002
Proton-irradiation effects on AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors‏ X Hu, AP Karmarkar, B Jun, DM Fleetwood, RD Schrimpf, RD Geil, ...‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 50 (6), 1791-1796, 2003‏	205	2003
The contribution of nuclear reactions to heavy ion single event upset cross-section measurements in a high-density SEU hardened SRAM‏ KM Warren, RA Weller, MH Mendenhall, RA Reed, DR Ball, CL Howe, ...‏ IEEE transactions on nuclear science 52 (6), 2125-2131, 2005‏	203	2005
Radiation effects at low electric fields in thermal, SIMOX, and bipolar-base oxides‏ DM Fleetwood, LC Riewe, JR Schwank, SC Witczak, RD Schrimpf‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 43 (6), 2537-2546, 1996‏	200	1996
Trends in the total-dose response of modern bipolar transistors‏ RN Nowlin, EW Enlow, RD Schrimpf, WE Combs‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 39 (6), 2026-2035, 1992‏	196	1992
Radiation effects and soft errors in integrated circuits and electronic devices‏ RD Schrimpf, DM Fleetwood‏ World Scientific, 2004‏	192	2004
The structure, properties, and dynamics of oxygen vacancies in amorphous SiO2‏ CJ Nicklaw, ZY Lu, DM Fleetwood, RD Schrimpf, ST Pantelides‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 49 (6), 2667-2673, 2002‏	191	2002
Reactions of hydrogen with Si-SiO2 interfaces‏ ST Pantelides, SN Rashkeev, R Buczko, DM Fleetwood, RD Schrimpf‏ IEEE Transactions on Nuclear Science 47 (6), 2262-2268, 2000‏	188	2000

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون