Paul R. Berger

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	5162	995
h-index	38	15
i10-index	121	28

240

120

180

1988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202529 52 48 85 55 77 65 78 72 67 80 86 66 92 90 134 170 176 194 187 152 197 165 198 217 172 163 161 194 172 196 237 208 239 176 168 176 28

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

28 مقالة

0 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Sean RommelProfessor, Rochester Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على rit.edu
Tyler GrowdenResearch scientist, US Naval Research Laboratoryبريد إلكتروني تم التحقق منه على nrl.navy.mil
Roger K. LakeUniversity of California Riversideبريد إلكتروني تم التحقق منه على ece.ucr.edu
Elliott BrownProfessor of Physics, Ohio Research Scholars Chair in Sensor Physicsبريد إلكتروني تم التحقق منه على wright.edu
Anisha RameshThe Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على intel.com
Woojun Yoon, Ph.D.Department of Energyبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.doe.gov
David J. MeyerNaval Research Laboratoryبريد إلكتروني تم التحقق منه على nrl.navy.mil
Santosh KurinecProfessor of Electrical & Microelectronic Engineeringبريد إلكتروني تم التحقق منه على rit.edu
James KolodzeyUniversity of Delawareبريد إلكتروني تم التحقق منه على udel.edu
Donald Lupoبريد إلكتروني تم التحقق منه على tut.fi
Alan SeabaughProfessor of Electrical Engineering, University of Notre Dameبريد إلكتروني تم التحقق منه على nd.edu
Karl D. HirschmanRochester Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على rit.edu
David SimonsScientist Emeritus, National Institute of Standards and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على nist.gov
Parastou FakhimiPhD Candidate, Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Minjae KimDepartment of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Roger LooImec and Ghent Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على imec.be
Fernando Lisboa TeixeiraProfessor, Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على ece.osu.edu
Sagar BhaleraoTampere University, Finlandبريد إلكتروني تم التحقق منه على tuni.fi
Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على purdue.edu
Jeffrey DaultonMIT Lincoln Laboratoryبريد إلكتروني تم التحقق منه على ll.mit.edu

متابعة

Paul R. Berger

Professor of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University

بريد إلكتروني تم التحقق منه على ieee.org - الصفحة الرئيسية

Quantum Tunneling Printable Semiconductor Si Organic Semiconductors Gallium Nitride


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Role of strain and growth conditions on the growth front profile of In_x Ga_(1-x) As on GaAs during the pseudomorphic growth regime‏ PR Berger, K Chang, P Bhattacharya, J Singh, KK Bajaj‏ Applied Physics Letters 53 (8), 684-686, 1988‏	320	1988
Plasmon-enhanced optical absorption and photocurrent in organic bulk heterojunction photovoltaic devices using self-assembled layer of silver nanoparticles‏ WJ Yoon, KY Jung, J Liu, T Duraisamy, R Revur, FL Teixeira, S Sengupta, ...‏ Solar Energy Materials and Solar Cells 94 (2), 128-132, 2010‏	274	2010
Room temperature operation of epitaxially grown Si/SiGe/Si resonant interband tunneling diodes‏ SL Rommel, TE Dillon, MW Dashiell, H Feng, J Kolodzey, PR Berger, ...‏ Applied Physics Letters 73, pp. 2191-2193, 1998‏	208	1998
Polymer solar cells: P3HT: PCBM and beyond‏ PR Berger, M Kim‏ Journal of Renewable and Sustainable Energy 10 (1), 2018‏	190	2018
Nanometer-period gratings in hydrogen silsesquioxane fabricated by electron beam lithography‏ MJ Word, I Adesida, PR Berger‏ Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2003‏	139	2003
Photoresponsivity of polymer thin-film transistors based on polyphenyleneethynylene derivative with improved hole injection‏ Y Xu, PR Berger, JN Wilson, UHF Bunz‏ Applied physics letters 85 (18), 4219-4221, 2004‏	92	2004
Self-aligned and self-limited quantum dot nanoswitches and methods for making same‏ PR Berger‏ US Patent 7,015,497, 2006‏	86	2006
Full-band simulation of indirect phonon assisted tunneling in a silicon tunnel diode with delta-doped contacts‏ C Rivas, R Lake, G Klimeck, WR Frensley, MV Fischetti, PE Thompson, ...‏ Applied Physics Letters 78 (6), 814-816, 2001‏	82	2001
4.8% efficient poly (3-hexylthiophene)-fullerene derivative (1: 0.8) bulk heterojunction photovoltaic devices with plasma treated AgO_x/indium tin oxide anode modification‏ WJ Yoon, PR Berger‏ Applied Physics Letters 92 (1), 013306-013306-3, 2008‏	78	2008
Tri-state logic using vertically integrated Si-SiGe resonant interband tunneling diodes with double NDR‏ N Jin, SY Chung, RM Heyns, PR Berger, R Yu, PE Thompson, ...‏ IEEE electron device letters 25 (9), 646-648, 2004‏	78	2004
Si-based resonant interband tunneling diodes and method of making interband tunneling diodes‏ PR Berger, PE Thompson, R Lake, K Hobart, SL Rommel‏ US Patent 6,803,598, 2004‏	75	2004
Current-voltage characteristics of high current density silicon Esaki diodes grown by molecular beam epitaxy and the influence of thermal annealing‏ MW Dashiell, RT Troeger, SL Rommel, TN Adam, PR Berger, C Guedj, ...‏ IEEE Transactions on Electron Devices 47 (9), 1707-1714, 2002‏	73	2002
Optical and electronic properties of SiGeC alloys grown on Si substrates‏ J Kolodzey, PR Berger, BA Orner, D Hits, F Chen, A Khan, X Shao, ...‏ Journal of crystal growth 157 (1-4), 386-391, 1995‏	72	1995
Highly repeatable room temperature negative differential resistance in AlN/GaN resonant tunneling diodes grown by molecular beam epitaxy‏ TA Growden, DF Storm, W Zhang, ER Brown, DJ Meyer, P Fakhimi, ...‏ Applied Physics Letters 109 (8), 2016‏	70	2016
Near-UV electroluminescence in unipolar-doped, bipolar-tunneling GaN/AlN heterostructures‏ TA Growden, W Zhang, ER Brown, DF Storm, DJ Meyer, PR Berger‏ Light: Science & Applications 7 (2), 17150-17150, 2018‏	64	2018
Low defect densities in molecular beam epitaxial GaAs achieved by isoelectronic In doping‏ PK Bhattacharya, S Dhar, P Berger, FY Juang‏ Applied physics letters 49 (8), 470-472, 1986‏	64	1986
peak current densities in Si/SiGe resonant interband tunneling diodes for high-power mixed-signal applications‏ N Jin, SY Chung, AT Rice, PR Berger, R Yu, PE Thompson, R Lake‏ Applied physics letters 83 (16), 3308-3310, 2003‏	63	2003
In_0.53Ga_0.47As metal‐semiconductor‐metal photodiodes with transparent cadmium tin oxide Schottky contacts‏ W Gao, AS Khan, PR Berger, RG Hunsperger, G Zydzik, HM O’Bryan, ...‏ Applied physics letters 65 (15), 1930-1932, 1994‏	62	1994
Monolithically integrated Si/SiGe resonant interband tunnel diode/CMOS demonstrating low voltage MOBILE operation‏ S Sudirgo, RP Nandgaonkar, B Curanovic, JL Hebding, RL Saxer, ...‏ Solid-State Electronics 48 (10-11), 1907-1910, 2004‏	61	2004
Diffusion barrier cladding in Si/SiGe resonant interband tunneling diodes and their patterned growth on PMOS source/drain regions‏ N Jin, SY Chung, AT Rice, PR Berger, PE Thompson, C Rivas, R Lake, ...‏ IEEE Transactions on Electron Devices 50 (9), 1876-1884, 2003‏	60	2003

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون