Edwin W. Lee II

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	731	337
h-index	7	7
i10-index	7	7

100

20142015201620172018201920202021202220232024202513 35 72 86 94 93 95 52 66 58 56 10

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

مقالة واحدة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Siddharth RajanElectrical and Computer Engineering, Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على ece.osu.edu
Yiying Wuprofessor of chemistry, ohio state universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Lu MaBrookhaven National Labبريد إلكتروني تم التحقق منه على bnl.gov
Digbijoy NathAssociate Professor at Indian Institute of Scienceبريد إلكتروني تم التحقق منه على iisc.ac.in
Aaron ArehartAssistant Research Professor of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Sriram KrishnamoorthyUniversity of California, Santa Barbaraبريد إلكتروني تم التحقق منه على ucsb.edu
William McCullochChemistry Graduate Student, The Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Masihhur LaskarUniversity of Wisconsin-Madisonبريد إلكتروني تم التحقق منه على wisc.edu
Zihao YangThe Ohio State Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu
Choong Hee Lee (Epitaxy Research S...Qorvoبريد إلكتروني تم التحقق منه على qorvo.com

متابعة

Edwin W. Lee II

PhD, The Ohio State University

بريد إلكتروني تم التحقق منه على osu.edu


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
p-type doping of MoS2 thin films using Nb‏ MR Laskar, DN Nath, L Ma, EW Lee, CH Lee, T Kent, Z Yang, R Mishra, ...‏ Applied Physics Letters 104 (9), 2014‏	367	2014
Layer-transferred MoS2/GaN PN diodes‏ EW Lee, CH Lee, PK Paul, L Ma, WD McCulloch, S Krishnamoorthy, Y Wu, ...‏ Applied Physics Letters 107 (10), 2015‏	86	2015
High current density 2D/3D MoS2/GaN Esaki tunnel diodes‏ S Krishnamoorthy, EW Lee, CH Lee, Y Zhang, WD McCulloch, ...‏ Applied Physics Letters 109 (18), 2016‏	82	2016
Epitaxial growth of large area single-crystalline few-layer MoS2 with high space charge mobility of 192 cm2 V− 1 s− 1‏ L Ma, DN Nath, EW Lee, CH Lee, M Yu, A Arehart, S Rajan, Y Wu‏ Applied Physics Letters 105 (7), 2014‏	78	2014
Growth and electrical characterization of two-dimensional layered MoS2/SiC heterojunctions‏ EW Lee, L Ma, DN Nath, CH Lee, A Arehart, Y Wu, S Rajan‏ Applied Physics Letters 105 (20), 2014‏	59	2014
Transferred large area single crystal MoS2 field effect transistors‏ CH Lee, W McCulloch, EW Lee, L Ma, S Krishnamoorthy, J Hwang, Y Wu, ...‏ Applied Physics Letters 107 (19), 2015‏	35	2015
A self-limiting layer-by-layer etching technique for 2H-MoS2‏ CH Lee, EW Lee, W McCulloch, Z Jamal-Eddine, S Krishnamoorthy, ...‏ Applied Physics Express 10 (3), 035201, 2017‏	19	2017
Electron transport in large-area epitaxial MoS2‏ DN Nath, L Ma, CH Lee, E Lee, A Arehart, Y Wu, S Rajan‏ 72nd Device Research Conference, 89-90, 2014‏	2	2014
p-type doping in CVD grown MoS2 using Nb‏ M Laskar, DN Nath, L Ma, E Lee, CH Lee, T Kent, Z Yang, R Mishra, ...‏ arXiv preprint arXiv:1310.6494, 2013‏	2	2013
Growth and Nb-doping of MoS2 towards novel 2D/3D heterojunction bipolar transistors‏ EW Lee‏ The Ohio State University, 2016‏	1	2016
Demonstration of 2D/3D p-MoS₂/n-SiC junction‏ EW Lee, L Ma, DN Nath, CH Lee, Y Wu, S Rajan‏ 72nd Device Research Conference, 79-80, 2014‏		2014

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–11

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون