Gregor Koblmüller

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	7235	2432
h-index	52	27
i10-index	125	86

620

310

155

465

20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202524 69 92 133 135 206 221 350 421 381 477 572 559 531 601 578 520 425 372 444 93

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

65 مقالة

41 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Jonathan J. FinleyProfessor of Semiconductor Quantum Nanoscienceبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Gerhard AbstreiterTU München, Walter Schottky Institut, Institute for Advanced Studyبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Jim SpeckProfessor of Materials, UCSBبريد إلكتروني تم التحقق منه على ucsb.edu
Markus DoeblingerDepartment of Chemistry, University of Munichبريد إلكتروني تم التحقق منه على lmu.de
Benedikt MayerMax Planck Institut of Quantum Opticsبريد إلكتروني تم التحقق منه على mpq.mpg.de
Hubert J. KrennerProfessor of Experimental Physics at Universität Münsterبريد إلكتروني تم التحقق منه على uni-muenster.de
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Lincoln J LauhonNorthwestern Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على northwestern.edu
Ilaria ZardoDepartment of Physics - University of Baselبريد إلكتروني تم التحقق منه على unibas.ch
Paolo LugliFree University of Bozen-Bolzanoبريد إلكتروني تم التحقق منه على unibz.it
Kai MüllerWalter Schottky Institute, Technical University Munich, Germanyبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Alexander HolleitnerTU Münchenبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Yee Kan KOHNational University of Singaporeبريد إلكتروني تم التحقق منه على nus.edu.sg
Nari JeonChungnam National Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على cnu.ac.kr
Filip TuomistoProfessor, University of Helsinkiبريد إلكتروني تم التحقق منه على helsinki.fi
Sergio Fernández-GarridoAssociate Professor in Materials Science and ERC-CoG Grantee at Universidad Politécnica de Madridبريد إلكتروني تم التحقق منه على upm.es
Joel W. Ager IIISenior Staff Scientist, Lawrence Berkeley Nat. Laboratory and Adjunct Professor, MSE, UC Berkeleyبريد إلكتروني تم التحقق منه على lbl.gov
Tim VealProfessor of Materials Physics, Stephenson Inst. for Ren. Energy and Physics, Univ. of Liverpoolبريد إلكتروني تم التحقق منه على liverpool.ac.uk
Hamidreza EsmaielpourMarie Skłodowska-Curie Actions (MSCA) Postdoctoral Fellow at the Walter Schottky Instituteبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Wolfgang PorodFreimann Professor of Electrical Engineering, University of Notre Dameبريد إلكتروني تم التحقق منه على nd.edu

متابعة

Gregor Koblmüller

Professor, Institute of Solid State Physics, TU Berlin

بريد إلكتروني تم التحقق منه على tu-berlin.de - الصفحة الرئيسية

Semiconductors Nanotechnology Photonics Molecular Beam Epitaxy Nitrides


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Lasing from individual GaAs-AlGaAs core-shell nanowires up to room temperature‏ B Mayer, D Rudolph, J Schnell, S Morkötter, J Winnerl, J Treu, K Müller, ...‏ Nature communications 4 (1), 2931, 2013‏	281	2013
In-polar InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy‏ CS Gallinat, G Koblmüller, JS Brown, S Bernardis, JS Speck, GD Chern, ...‏ Applied physics letters 89 (3), 2006‏	201	2006
Growth kinetics in position-controlled and catalyst-free InAs nanowire arrays on Si (111) grown by selective area molecular beam epitaxy‏ S Hertenberger, D Rudolph, M Bichler, JJ Finley, G Abstreiter, ...‏ Journal of Applied Physics 108 (11), 2010‏	197	2010
A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of In-face InN‏ CS Gallinat, G Koblmüller, JS Brown, JS Speck‏ Journal of Applied Physics 102 (6), 2007‏	170	2007
Monolithically integrated high-β nanowire lasers on silicon‏ B Mayer, L Janker, B Loitsch, J Treu, T Kostenbader, S Lichtmannecker, ...‏ Nano letters 16 (1), 152-156, 2016‏	169	2016
Growth diagram and morphologies of AlN thin films grown by molecular beam epitaxy‏ G Koblmueller, R Averbeck, L Geelhaar, H Riechert, W Hösler, P Pongratz‏ Journal of Applied Physics 93 (12), 9591-9596, 2003‏	164	2003
Direct observation of a noncatalytic growth regime for GaAs nanowires‏ D Rudolph, S Hertenberger, S Bolte, W Paosangthong, D Spirkoska, ...‏ Nano Letters 11 (9), 3848-3854, 2011‏	160	2011
Spontaneous alloy composition ordering in GaAs-AlGaAs core–shell nanowires‏ D Rudolph, S Funk, M Döblinger, S Morkötter, S Hertenberger, ...‏ Nano letters 13 (4), 1522-1527, 2013‏	156	2013
Self-induced growth of vertical free-standing InAs nanowires on Si (111) by molecular beamepitaxy‏ G Koblmüller, S Hertenberger, K Vizbaras, M Bichler, F Bao, JP Zhang, ...‏ Nanotechnology 21 (36), 365602, 2010‏	154	2010
In situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction‏ S Fernández-Garrido, G Koblmüller, E Calleja, JS Speck‏ Journal of applied physics 104 (3), 2008‏	134	2008
Optimization of the surface and structural quality of N-face InN grown by molecular beam epitaxy‏ G Koblmüller, CS Gallinat, S Bernardis, JS Speck, GD Chern, ...‏ Applied physics letters 89 (7), 2006‏	129	2006
Direct observation of different equilibrium Ga adlayer coverages and their desorption kinetics on GaN (0001) and surfaces‏ G Koblmüller, R Averbeck, H Riechert, P Pongratz‏ Physical Review B 69 (3), 035325, 2004‏	127	2004
Thermal conductivity of GaAs nanowires studied by micro-Raman spectroscopy combined with laser heating‏ M Soini, I Zardo, E Uccelli, S Funk, G Koblmüller, A Fontcuberta i Morral, ...‏ Applied Physics Letters 97 (26), 2010‏	126	2010
In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001) GaN‏ G Koblmüller, S Fernández-Garrido, E Calleja, JS Speck‏ Applied Physics Letters 91 (16), 2007‏	120	2007
Surface kinetics and thermal instability of N-face InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy‏ G Koblmüller, CS Gallinat, JS Speck‏ Journal of applied physics 101 (8), 2007‏	112	2007
Dislocation-induced thermal transport anisotropy in single-crystal group-III nitride films‏ B Sun, G Haunschild, C Polanco, J Ju, L Lindsay, G Koblmüller, YK Koh‏ Nature materials 18 (2), 136-140, 2019‏	106	2019
Excitation wavelength dependence of terahertz emission from InN and InAs‏ GD Chern, ED Readinger, H Shen, M Wraback, CS Gallinat, G Koblmüller, ...‏ Applied physics letters 89 (14), 2006‏	103	2006
Effect of charged dislocation scattering on electrical and electrothermal transport in -type InN‏ N Miller, EE Haller, G Koblmüller, C Gallinat, JS Speck, WJ Schaff, ...‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (7), 075315, 2011‏	96	2011
Enhanced luminescence properties of InAs–InAsP core–shell nanowires‏ J Treu, M Bormann, H Schmeiduch, M Döblinger, S Morkötter, ...‏ Nano letters 13 (12), 6070-6077, 2013‏	94	2013
High-temperature molecular beam epitaxial growth of AlGaN/GaN on GaN templates with reduced interface impurity levels‏ G Koblmüller, RM Chu, A Raman, UK Mishra, JS Speck‏ Journal of Applied Physics 107 (4), 2010‏	94	2010

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون