Eilam Yalon

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	3389	2782
h-index	30	24
i10-index	50	46

600

300

150

450

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 7 14 30 29 83 131 280 414 510 581 556 593 128

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

43 مقالة

3 مقالات

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Dr. Miguel Muñoz Rojo - ERC granteeTenured permanent researcher (CSIC) & Associate Prof. (University of Twente)بريد إلكتروني تم التحقق منه على csic.es
Connor J. McClellanStanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Sanchit DeshmukhPhD, Stanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على alumni.stanford.edu
Christopher M. NeumannIntelبريد إلكتروني تم التحقق منه على intel.com
Dan RitterProfessor of Electrical Engineering, Technion, Israelبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.technion.ac.il
Saurabh V. SuryavanshiSynopsysبريد إلكتروني تم التحقق منه على suryavanshi.me
Nicolás WainsteinTechnion - Israel Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على technion.ac.il
Feng XiongAssociate Professor, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Pittsburghبريد إلكتروني تم التحقق منه على pitt.edu
Shahar KvatinskyTechnion - Israel Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.technion.ac.il
Sam VaziriStanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Connor BaileyStanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Alexander J GabourieDeepSim, Inc.بريد إلكتروني تم التحقق منه على deepsim.io
H.-S. Philip WongProfessor of Electrical Engineering, Stanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Emanuel BerTechnion - Israel Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على campus.technion.ac.il
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, Stanfordبريد إلكتروني تم التحقق منه على stanford.edu
Ilan RiessPhysics Department Technionبريد إلكتروني تم التحقق منه على tx.technion.ac.il
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of Singaporeبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaust.edu.sa
Burak AslanAssistant Professor, Bogazici Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على boun.edu.tr
Lior KornblumViterbi Dept. of Electrical & Computer Engineering, Technion - Israel Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.technion.ac.il

متابعة

Eilam Yalon

Technion, Israel Institute of Technology

بريد إلكتروني تم التحقق منه على technion.ac.il - الصفحة الرئيسية

Nanoelectronics electron device physics energy-efficiency nanomaterials


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Recommended methods to study resistive switching devices‏ M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ...‏ Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019‏	662	2019
Energy Dissipation in Monolayer MoS₂ Electronics‏ E Yalon, CJ McClellan, KKH Smithe, M Muñoz Rojo, RL Xu, ...‏ Nano letters 17 (6), 3429-3433, 2017‏	243	2017
High Current Density in Monolayer MoS₂ Doped by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ ACS nano 15 (1), 1587-1596, 2021‏	220	2021
Temperature-Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS₂ by Raman Thermometry‏ E Yalon, B Aslan, KKH Smithe, CJ McClellan, SV Suryavanshi, F Xiong, ...‏ ACS applied materials & interfaces 9 (49), 43013-43020, 2017‏	189	2017
Rapid Flame Synthesis of Atomically Thin MoO₃ down to Monolayer Thickness for Effective Hole Doping of WSe₂‏ L Cai, CJ McClellan, AL Koh, H Li, E Yalon, E Pop, X Zheng‏ Nano letters 17 (6), 3854-3861, 2017‏	175	2017
Ultrahigh thermal isolation across heterogeneously layered two-dimensional materials‏ S Vaziri, E Yalon, M Muñoz Rojo, SV Suryavanshi, H Zhang, ...‏ Science advances 5 (8), eaax1325, 2019‏	142	2019
Uncovering the Effects of Metal Contacts on Monolayer MoS₂‏ K Schauble, D Zakhidov, E Yalon, S Deshmukh, RW Grady, KA Cooley, ...‏ ACS nano 14 (11), 14798-14808, 2020‏	137	2020
Engineering field effect transistors with 2D semiconducting channels: Status and prospects‏ X Jing, Y Illarionov, E Yalon, P Zhou, T Grasser, Y Shi, M Lanza‏ Advanced Functional Materials 30 (18), 1901971, 2020‏	99	2020
Nanoscale Heterogeneities in Monolayer MoSe₂ Revealed by Correlated Scanning Probe Microscopy and Tip-Enhanced Raman Spectroscopy‏ KKH Smithe, AV Krayev, CS Bailey, HR Lee, E Yalon, B Aslan, ...‏ ACS Applied Nano Materials 1 (2), 572-579, 2017‏	77	2017
Spatially resolved thermometry of resistive memory devices‏ E Yalon, S Deshmukh, M Muñoz Rojo, F Lian, CM Neumann, F Xiong, ...‏ Scientific reports 7 (1), 15360, 2017‏	70	2017
Effective n-type doping of monolayer MoS₂ by AlO_x‏ CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop‏ 2017 75th annual device research conference (DRC), 1-2, 2017‏	65	2017
Radiofrequency switches based on emerging resistive memory technologies-a survey‏ N Wainstein, G Adam, E Yalon, S Kvatinsky‏ Proceedings of the IEEE 109 (1), 77-95, 2020‏	60	2020
Localized Heating and Switching in MoTe₂-Based Resistive Memory Devices‏ IM Datye, MM Rojo, E Yalon, S Deshmukh, MJ Mleczko, E Pop‏ Nano letters 20 (2), 1461-1467, 2020‏	59	2020
Engineering thermal and electrical interface properties of phase change memory with monolayer MoS2‏ CM Neumann, KL Okabe, E Yalon, RW Grady, HSP Wong, E Pop‏ Applied Physics Letters 114 (8), 2019‏	53	2019
Detection of the insulating gap and conductive filament growth direction in resistive memories‏ E Yalon, I Karpov, V Karpov, I Riess, D Kalaev, D Ritter‏ Nanoscale 7 (37), 15434-15441, 2015‏	51	2015
Monolayer molybdenum disulfide switches for 6G communication systems‏ M Kim, G Ducournau, S Skrzypczak, SJ Yang, P Szriftgiser, N Wainstein, ...‏ Nature Electronics 5 (6), 367-373, 2022‏	50	2022
Thermometry of filamentary RRAM devices‏ E Yalon, AA Sharma, M Skowronski, JA Bain, D Ritter, IV Karpov‏ IEEE Transactions on Electron Devices 62 (9), 2972-2977, 2015‏	49	2015
Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory‏ KL Okabe, A Sood, E Yalon, CM Neumann, M Asheghi, E Pop, ...‏ Journal of Applied Physics 125 (18), 2019‏	47	2019
Resistive Switching inProbed by a Metal–Insulator–Semiconductor Bipolar Transistor‏ E Yalon, A Gavrilov, S Cohen, D Mistele, B Meyler, J Salzman, D Ritter‏ IEEE electron device letters 33 (1), 11-13, 2011‏	44	2011
Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO₂ Ferroelectric Field-Effect Transistor‏ MM Dahan, H Mulaosmanovic, O Levit, S Dünkel, S Beyer, E Yalon‏ Nano Letters 23 (4), 1395-1400, 2023‏	43	2023

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون