Ryoichi Ishihara

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	4127	1669
h-index	27	13
i10-index	74	19

440

220

110

330

19961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202514 8 32 26 38 43 34 59 54 64 101 118 125 104 66 89 116 162 219 155 185 161 190 267 251 436 278 282 355 65

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

مقالتان (2)

0 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Sten VollebregtAssociate professor, Delft University of Technology, Microelectronics Department, The Netherlandsبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
Miki TrifunovicDelft University of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
Lieven VandersypenQuTech and Kavli Institute of Nanoscience, TU Delftبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
P.M. (Lina) SarroDelft University of Technology, The Netherlandsبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
Yukiharu UraokaNara Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على ms.naist.jp
Mami N. FujiiKindai Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على ele.kindai.ac.jp
N SaputraDelft University of Technology, Qualcommبريد إلكتروني تم التحقق منه على qti.qualcomm.com
Edoardo CharbonProfessor of Advanced Quantum Architectures, EPFLبريد إلكتروني تم التحقق منه على epfl.ch
Sourish Banerjeeimecبريد إلكتروني تم التحقق منه على imec.be
David ReillyThe University of Sydneyبريد إلكتروني تم التحقق منه على physics.usyd.edu.au
Andrea MorelloScientia Professor of Quantum Engineering, University of New South Walesبريد إلكتروني تم التحقق منه على unsw.edu.au
Andrew DzurakScientia Professor in Electrical Engineering, UNSWبريد إلكتروني تم التحقق منه على unsw.edu.au
Pengfei SunDelft University of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على apple.com
Juan Paolo S. BermundoNara Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على ms.naist.jp
Reinoud WolffenbuttelDelft University of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
Ann N. ChiaramontiNational Institute of Standards and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على nist.gov
Prof. Feng YanChair Professor of Organic Electronics, Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnicبريد إلكتروني تم التحقق منه على polyu.edu.hk
Giuseppe FiorentinoPhD, Delft University of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl
Masahiro HoritaAssistant Professor of Electonic Engineering and Science, Kyoto Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp
Andre BosscheAssociate Professor, Delft University of technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl

متابعة

Ryoichi Ishihara

Delft University of Technology, EEMCS, QuTech

بريد إلكتروني تم التحقق منه على tudelft.nl - الصفحة الرئيسية

Quantum computer 3D-IC flexible-electronics


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Interfacing spin qubits in quantum dots and donors—hot, dense, and coherent‏ LMK Vandersypen, H Bluhm, JS Clarke, AS Dzurak, R Ishihara, A Morello, ...‏ npj Quantum Information 3 (1), 34, 2017‏	562	2017
Monolithic 3D-ICs with single grain Si thin film transistors‏ R Ishihara, J Derakhshandeh, MRT Mofrad, T Chen, N Golshani, ...‏ Solid-State Electronics 71, 80-87, 2012‏	295	2012
Monolithic 3D integration of SRAM and image sensor using two layers of single grain silicon‏ N Golshani, J Derakhshandeh, R Ishihara, CIM Beenakker, M Robertson, ...‏ 2010 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC), 1-4, 2010‏	265	2010
Influence of the growth temperature on the first and second-order Raman band ratios and widths of carbon nanotubes and fibers‏ S Vollebregt, R Ishihara, FD Tichelaar, Y Hou, CIM Beenakker‏ Carbon 50 (10), 3542-3554, 2012‏	264	2012
Large Polycrystalline Silicon Grains Prepared by Excimer Laser Crystallization of Sputtered Amorphous Silicon Film with Process Temperature at 100 C‏ M He, R Ishihara, EJJ Neihof, Y van Andel, H Schellevis, W Metselaar, ...‏ Japanese journal of applied physics 46 (3S), 1245, 2007‏	259	2007
A Study of the CMP Effect on the Quality of Thin Silicon Films Crystallized by Using the??-Czochralski Process‏ J Derakhshandeh, MRT Mofrad, R Ishihara, J Van der Cingel, ...‏ Journal of the Korean Physical Society 54 (9), 432-436, 2009‏	235	2009
Formation of location-controlled crystalline islands using substrate-embedded seeds in excimer-laser crystallization of silicon films‏ PC Van der Wilt, BD Van Dijk, GJ Bertens, R Ishihara, CIM Beenakker‏ Applied Physics Letters 79 (12), 1819-1821, 2001‏	143	2001
Effects of light pulse duration on excimer-laser crystallization characteristics of silicon thin films‏ RIR Ishihara, WCYWC Yeh, THT Hattori, MMM Matsumura‏ Japanese journal of applied physics 34 (4R), 1759, 1995‏	77	1995
Carbon nanotube vertical interconnects fabricated at temperatures as low as 350 C‏ S Vollebregt, FD Tichelaar, H Schellevis, CIM Beenakker, R Ishihara‏ Carbon 71, 249-256, 2014‏	68	2014
Excimer-laser-produced single-crystal silicon thin-film transistors‏ RIR Ishihara, MMM Matsumura‏ Japanese journal of applied physics 36 (10R), 6167, 1997‏	65	1997
Dependence of single-crystalline Si TFT characteristics on the channel position inside a location-controlled grain‏ V Rana, R Ishihara, Y Hiroshima, D Abe, S Inoue, T Shimoda, ...‏ IEEE Transactions on Electron Devices 52 (12), 2622-2628, 2005‏	59	2005
Advanced excimer-laser crystallization process for single-crystalline thin film transistors‏ R Ishihara, PC Van der Wilt, BD van Dijk, A Burtsev, JW Metselaar, ...‏ Thin Solid Films 427 (1-2), 77-85, 2003‏	59	2003
Low temperature high-mobility InZnO thin-film transistors fabricated by excimer laser annealing‏ M Fujii, Y Ishikawa, R Ishihara, J van der Cingel, MRT Mofrad, M Horita, ...‏ Applied Physics Letters 102 (12), 2013‏	53	2013
Single-grain Si TFTs with ECR-PECVD gate SiO2‏ R Ishihara, Y Hiroshima, D Abe, BD Van Dijk, PC Van Der Wilt, S Higashi, ...‏ Electron Devices, IEEE Transactions on 51 (3), 500-502, 2004‏	49*	2004
Location-control of large Si grains by dual-beam excimer-laser and thick oxide portion‏ R Ishihara, A Burtsev, PFA Alkemade‏ Japanese Journal of Applied Physics 39 (7R), 3872, 2000‏	47	2000
Advanced excimer laser crystallization techniques of Si thin film for location control of large grain on glass‏ R Ishihara, PC van der Wilt, BD van Dijk, A Burtsev, FC Voogt, GJ Bertens, ...‏ Flat Panel Display Technology and Display Metrology II 4295, 14-23, 2001‏	46	2001
Electrical property of coincidence site lattice grain boundary in location-controlled Si island by excimer-laser crystallization‏ R Ishihara, M He, V Rana, Y Hiroshima, S Inoue, T Shimoda, ...‏ Thin solid films 487 (1-2), 97-101, 2005‏	45	2005
Melting and crystallization behavior of low-pressure chemical-vapor-deposition amorphous Si films during excimer-laser annealing‏ FC Voogt, R Ishihara, FD Tichelaar‏ Journal of applied physics 95 (5), 2873-2879, 2004‏	45	2004
Solution-processed polycrystalline silicon on paper‏ M Trifunovic, T Shimoda, R Ishihara‏ Applied Physics Letters 106 (16), 2015‏	40	2015
Single-grain Si thin-film transistors on flexible polyimide substrate fabricated from doctor-blade coated liquid-Si‏ J Zhang, M Trifunovic, M Van Der Zwan, H Takagishi, R Kawajiri, ...‏ Applied Physics Letters 102 (24), 2013‏	37	2013

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون